SEMIKRON выпускает модули IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором, или БТИЗ) сериями SEMITRANS, SEMiX, SKiM, MiniSKiiP и SEMITOP с различными топологиями, номиналами тока и напряжения. Модули IGBT, рассчитанные на токи от 4 A до 1400 A в классах напряжения от 600 В до 1800 В, используются в различном оборудовании и обладают рядом важных особенностей, включая спекаемые, подпружиненные или запрессовываемые контакты для быстрой и простой сборки. Предлагаемые топологии, например, CIB (преобразователь, инвертор, тормоз), полумост, H-мост, 6-пакетная и 3-уровневая система, охватывают практически все области применения. Новейшие ИС на базе IGBT и диодные модули обеспечивают оптимальную характеристики переключения до Tj max = 175 °C.





SEMIKRON предлагает полноценные силовые модули из карбида кремнияы в корпусах MiniSKiiP, SEMITOP и SEMITRANS.
За счёт использования карбидокремниевых модулей MOSFET (полевых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник) от ведущих поставщиков обеспечивается максимальная выходная и удельная мощность в сочетании с высокой частотой переключения, минимальными потерями и максимальным эффективностью.
Благодаря увеличению частоты переключения можно свести к минимуму число компонентов пассивного фильтра. Одновременно уменьшаются потери мощности, что позволяет устанавливать к теплоотводную систему меньших размеров и сократить потери на охлаждение в целом. Оба преимущества приводят к значительному снижению стоимости системы. Полноценные карбидокремниевые силовые модули выпускаются в исполнениях по номинальному токау от 20 А до 540 А при 1200 В, со встречно-параллельным шунтирующим диодом Шоттки или без него.
Технология покрытия представляет собой шесть пакетов классической конфигурации, но с раздельным выводом для обеспечения функциональной гибкости применительно к конкретным требованиям.
Гибридные силовые модули SEMIKRON на основе карбида кремния выпускаются в исполнениях MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit и SKiM63/93. Новейшая технология IGBT в сочетании с диодами карбидокремниевыми диодами Шоттки от ведущих поставщиков обеспечивает увеличение частоты коммутации с одновременноым снижением потерь мощности.
Гибридные карбидокремниевые силовые модули рассчитаны на токи от 50 А до 600 А при напряжении 1200 В.
Технология покрытия - шесть пакетов и полумосты.
Шунтирующие карбидокремниевые диоды Шотки практически не имеют потерь на переключение и значительно снижают потери при включении модуля IGBT. За счёт этого достигается более высокая частота переключения в одном модуле, что эффективно снижает нагрузку на фильтр на выходе, что улучшает работу ряда оборудования, например, инвертора солнечной электростанции, систем бесперебойного питания или высокочастотных источников питания. Кроме того, можно добиться более высокой выходной мощности по сравнению с кремниевыми силовыми модулями стандартного типа.

