О компании SEMIKRON

SEMIKRON - разработчик и производитель компонентов силовой электроники

Компания SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG, Нюрнберг, Германия, создана в 1951 году. Компания специализируется на разработке и производстве силовых электронных приборов, которые являются основными компонентами энергосберегающих технологий Сисловая электроника SEMIKRON широко применяется в системах управления с разомкнутым и замкнутым контуром, в перспективном оборудовании, преобразующем энергию ветра и солнца, а также в электромобилях, приводной технике и источниках питания. SEMIKRON – единственный европейский производитель интеллектуальных силовых модулей IGBT с током до 2400 А.

По состоянию на начало 2026 года в офисах и на заводах SEMIKRON работает свыше 3200 человек в 25 филиалах по всему миру.

Международная сеть SEMIKRON с производственными площадками в Германии, Бразилии, Китае, Франции, Индии, Италии, Корее, Словакии и США обеспечивает быстрое и комплексное обслуживание клиентов.

SEMIKRON - это семейное предприятие уже в третьем поколении частной собственности. Это единственный независимый семейный бизнес с международным положительным прогнозом в секторе производства силовых электронных компонентов.

Группы продукции SEMIKRON

  • SEMITRANS
  • SEMiX
  • SKiM
  • SEMITOP
  • SKiiP
  • MiniSKiiP
  • SEMIPACK
  • SEMIPONT
  • SKYPER
  • SEMiSTART
  • SKAI
  • Модули IGBT с водяным охлаждением
  • Модули IGBT с воздушным охлаждением
  • Виодные и тиристорные сборки
  • Силовые электронные сборки по специальным требованиям заказчика
  • Дискретные диоды и тиристоры
  • Выпрямительные мосты

Головное предприятие SEMIKRON в Нюрнберге, Германия

Головной офис SEMIKRON в Нюрнберге, Германияы


Инновационный силовой IGBT-модуль SEMIKRON SEMITRANS 10 DPD, до 2 МВт

Силовой IGBT-модуль SEMIKRON SEMITRANS 10 DPD
SEMITRANS 10 DPD – модуль IGBT в стандартном конструктиве Prime Pack с основанием в виде медной пластины и винтовыми клеммами. Номинальное значение выходного тока повышено до 1800 A за счет использования новейшей технологии DPD (Direct Pressed Die). Улучшенные динамические характеристики и малый уровень потерь в сочетании с низким тепловым сопротивлением Rth позволили повысить выходную мощность на 30 % относительно стандартного конструктива с паяным соединением кристаллов при Tjop менее 150 °C. Уникальная концепция шинных соединений DPD позволяет существенно повысить мощность преобразователя без переделки конструкции и повышения эффективности системы охлаждения.